通常，当我们谈论纳米时，它是关于最新的芯片组。然而，IEDM 2019年大会的三星团队介绍了一个关于基于14nm FinFET过程的144MP图像传感器的技术。
主要挑战是图像传感器需要在相对高的电压（2V和UP）上工作，并且所有芯片组设计人员旨在实现最低的电压（因为降低功耗和热量）。
据三星的研究人员称，14NM FinFET技术将允许在144MP传感器中减少42％的功耗，同时捕获10FPS的图像。对于30-120fps的12mp读数（即录制视频），节能最高可达37％。
三星详细信息计划在14NM FinFET过程中构建的图像传感器
请注意，本公告与像素大小无关 - 相反，14nm指的是晶体管，其引用放大来自像素的信号以及图像传感器上的其他模拟和数字处理硬件。
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