似乎三星的铸造厂将在未来几个月内没有订单不足。该公司的14nm FinFET生产过程最初为其内部建造的Exynos芯片而开发，自然地引起了其他芯片制造商的关注。通过所有帐户，高通公司的下一个PowerHouse SoC - Snapdragon 820也将由三星生产，使用相同的14nm FinFET过程，用于其新的Exynos 8 Octa芯片。
有问题的过程实际上是第二代FinFET，其速度高达15％，并且在其前任的功耗方面大致相同的改进。它被称为LPP（低功率加），并且在持续的14nm LPE过程中是一个全面的改进，尽管没有随后的骰子缩小。这是通过使用完全耗尽的FinFET晶体管来实现的，以及对晶体管结构和工艺优化的许多其他改进。
这绝对是在他们的下一代旗舰芯片组中的三星和高通公司之间的竞争范围，至少在某种程度上，对用户的宏伟方案中的用户绝对有利于，实现更强大，更少的电力饥饿的设备。
然而，它仍然在其他方面留下了足够的竞争空间，最典型的 - 处理器核心架构。在用标准臂核心粘贴了一段时间后，三星已经转向与Exynos 8890的定制核心解决方案。高通公司还返回了Snapdragon 820的自定义核心解决方案。
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