三星已宣布基于14nm 3D FinFET处理器的行业第一芯片。这是用于制造当前Exynos 7处理器的20nm平面过程的显着改进。
据三星表示,基于14nm工艺的新Exynos 7 Octa能够更快的速度增加20%,功耗降低35%,并且由于3D FinFET过程采用了30%的生产力增益。
三星将把新过程应用于Exynos 7 Octa,我们希望在今年即将到来的Galaxy S6中首先看到它。
三星已宣布基于14nm 3D FinFET处理器的行业第一芯片。这是用于制造当前Exynos 7处理器的20nm平面过程的显着改进。
据三星表示,基于14nm工艺的新Exynos 7 Octa能够更快的速度增加20%,功耗降低35%,并且由于3D FinFET过程采用了30%的生产力增益。
三星将把新过程应用于Exynos 7 Octa,我们希望在今年即将到来的Galaxy S6中首先看到它。