IBM HASN“T真的是Tech Innovation的最前沿，这是一段时间，或者至少是它萎缩的消费电子部门导致我们相信的东西。然而，该公司仍在重大研究和发展，与其他许多其他人一样，正试图推进现代计算。最新突破采用革命性的新芯片，使用7nm工艺制造。
主要的里程碑是纽约奥尔巴尼的全球铸造厂，三星和Suny理工学院的高校合作完成了30亿美元的研发。通过使用硅锗（SiGe）通道晶体管和极端紫外线（EUV）光刻集成来实现缩减缩减。
如果您想知道为什么有人努力掌握具有比人类头发小约14 000倍的处理能力的运作芯片，最终目标很简单，现在已经相当一段时间 - CRAM更多的晶体管在一个较小的空间。这是大多数骰子缩小的最终目标，这就是为什么三星的目前的14个NM FinFET技术被认为是优越和更具未来的证据，而不是让Qualcomm仍在使用Snapdragon Chips的20nm过程。
传统的热挑战，与制造芯片更小和挤压晶体管较近的终于可能是IBM在新材料和集成过程的帮助下寻址的最大问题。然而，还值得注意的是，在这种小规模上工作也呈现出新的科学挑战，略显在传统物理学领域。尽管如此，行业领导者仍然相信，在我们不可避免地击中一些物理边界之前，有充足的额外收缩空间。
三星已经在稳定的10nm finfet技术上工作，英特尔也是如此。但是，7nm是一个更令人印象深刻的成就，IBM国家可以在未来的技术中提高高达50％的绩效改善。然而，牢记这项技术仍然远离消费市场。不久前，三星也表示，“在将半导体技术最小化下降到5nm的技术难度”，因此我们仍然有很多期待。
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